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国产光刻机重大突破 工信部印发推广指导

北京青年报发布时间:2024-09-19 09:54:41  作者:朱开云

  9月18日,光刻机板块掀起涨停潮。 张江高科、同飞股份、波长光电、海立股份涨停,新莱应材、富乐德、蓝英装备涨超10%,东方嘉盛、国林科技、京华激光、凯美特气跟涨。

  消息面上,为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同,工信部于9月9日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》(以下简称《目录》)通知,在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm),和氟化氩光刻机(65nm)等集成电路关键生产设备。

  工信部微信公众号“工信微报”介绍,重大技术装备是国之重器,事关综合国力和国家安全。中国首台(套)重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品,包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

  《目录》中的电子专用装备目录下提到,集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机,光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。

  除了光刻机,其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特征金属膜层刻蚀机、化学气相沉积设备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。

  目前来说,光刻机共经历了六代的发展,从最早的 436nm 波长,再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line,第三代则是 248nm 的 KrF 激光,第四代就是 193nm 波长的 ArF 光刻机,属于干式DUV光刻机。第五代是ArFi,即浸没式DUV光刻机。第六代指的是极紫外EUV光刻机。

  国际方面,9月6日,荷兰政府宣布,扩大光刻机出口管制范围至浸没式深紫外光刻设备。这与美国去年10月更新的先进芯片制造技术出口管制政策进行了“对齐”。此前,荷兰政府对光刻机的出口限制措施还没有如此严格。现在,荷兰政府自己收紧了对光刻机的出口限制——阿斯麦如果要向中国出口TWINSCAN NXT:1970i和1980i型号浸润式DUV光刻系统,需要先向荷兰政府申请出口许可证。而更先进的极紫外(EUV)光刻机此前早已被完全禁止出口中国。

  中国商务部新闻发言人9月8日表示,近来,中荷双方就半导体出口管制问题开展了多层级、多频次的沟通磋商。荷方在2023年半导体出口管制措施的基础上,进一步扩大对光刻机的管制范围,中方对此表示不满。

  文/北京青年报记者 朱开云


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