国产光刻机重大突破 工信部印发推广指导

　　9月18日，光刻机板块掀起涨停潮。 张江高科、同飞股份、波长光电、海立股份涨停，新莱应材、富乐德、蓝英装备涨超10%，东方嘉盛、国林科技、京华激光、凯美特气跟涨。

　　消息面上，为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用，加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同，工信部于9月9日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》(以下简称《目录》)通知，在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm)，和氟化氩光刻机(65nm)等集成电路关键生产设备。

　　工信部微信公众号“工信微报”介绍，重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全。中国首台(套)重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

　　《目录》中的电子专用装备目录下提到，集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机，光源248纳米，分辨率≤110nm，套刻≤25nm;氟化氩光刻机，光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

　　除了光刻机，其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特征金属膜层刻蚀机、化学气相沉积设备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。

　　目前来说，光刻机共经历了六代的发展，从最早的 436nm 波长，再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line，第三代则是 248nm 的 KrF 激光，第四代就是 193nm 波长的 ArF 光刻机，属于干式DUV光刻机。第五代是ArFi，即浸没式DUV光刻机。第六代指的是极紫外EUV光刻机。

　　国际方面，9月6日，荷兰政府宣布，扩大光刻机出口管制范围至浸没式深紫外光刻设备。这与美国去年10月更新的先进芯片制造技术出口管制政策进行了“对齐”。此前，荷兰政府对光刻机的出口限制措施还没有如此严格。现在，荷兰政府自己收紧了对光刻机的出口限制——阿斯麦如果要向中国出口TWINSCAN NXT：1970i和1980i型号浸润式DUV光刻系统，需要先向荷兰政府申请出口许可证。而更先进的极紫外(EUV)光刻机此前早已被完全禁止出口中国。

　　中国商务部新闻发言人9月8日表示，近来，中荷双方就半导体出口管制问题开展了多层级、多频次的沟通磋商。荷方在2023年半导体出口管制措施的基础上，进一步扩大对光刻机的管制范围，中方对此表示不满。

　　文/北京青年报记者 朱开云